제조업체 제품 번호:
TSM4NB65CP ROG
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM4NB65CP ROG-DG
설명:
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
상세 설명:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
재고:
34 새로운 원본 재고 있음
12899136
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제출
TSM4NB65CP ROG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
549 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
70W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TSM4NB65
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TSM4NB65CP ROGTR-DG
TSM4NB65CP ROGCT-DG
TSM4NB65CP ROGDKR-DG
TSM4NB65CP ROGCT
TSM4NB65CP ROGTR
TSM4NB65CPROGCT
TSM4NB65CPROGTR
TSM4NB65CPROGDKR
TSM4NB65CP ROGDKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD80R2K8CEATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
4870
부품 번호
IPD80R2K8CEATMA1-DG
단가
0.36
대체 유형
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